一、场效应管的简介

    场效应晶体管的英文简称为FET，中文简称为场效应管或者单极型晶体管。它是由电压控制的半导体器件，输入电阻在108Ω~109Ω之间（输入电阻高）、噪声小、功耗低、动态范围大、集成简易、不会造成二次击穿的现象、安全工作范围广等优点，目前场效应管已经成为了双极型晶体管和功率晶体管的最强力的竞争者。场效应管主要分为量大类分别是：结型场效应管和绝缘栅场效应管（mos管）。

二、场效应管与双极型管比较下的特点

  1、场效应管属于电压控制器件，它通过VGS来控制ID。

  2、场效应管的输入电阻很大，因此它的输入极电流很小。

  3、场效应管的温度稳定性比较好，因为它是利用多数载流子导电的。

  4、场效应管的抗辐射能力强。

  5、场效应管组成的放大电路的电压系数要小于普通三极管的组成的放大电路电压的系数

  6、场效应管不存在杂乱的运动引起的散粒噪声，所以噪音低。

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