肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属半导体器件。传统的肖特基二极管是通过金属与半导体接触而构成。金属材料可选用铝、金、钼、镍和钛等，半导体通常为硅（Si）或砷化镓（GaAs）。但是因为电子比空穴迁移率大，为获得良好的频率特性，所以新型的肖特基二极管选用N型半导体材料作为基片。

肖特基二极管拥有开关频率高和正向压降低等优势，但它的反向击穿电压比较低，大多不高于60V，最高仅约100V，所以会限制了肖特基二极管的应用范围。像在开关电源和功率因数校正电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V～1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等，只有使用快速恢复外延二极管（FRED）和超快速恢复二极管（UFRD）。

它属一种低功耗、超高速半导体元器件。最明显的优点是反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向压降较小。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。应用于开关电源、变频器、驱动器等电路中。